CXMT: Chinesischer Speicherhersteller kündigt HBM3-Produktion ab 2027 an – Rennen um High-Bandwidth Memory

Der chinesische Speicherhersteller CXMT (ChangXin Memory Technologies) kündigt einen strategischen Technologiesprung an: Ab 2027 will das Unternehmen auf die Produktion von HBM3 umstellen, der aktuellen Hochleistungsspeichergeneration. Dies markiert einen direkten Einstieg in den hart umkämpften Markt für High-Bandwidth Memory, der bisher von südkoreanischen Giganten wie SK Hynix und Samsung dominiert wird. CXMT plant, einen großen Teil seiner Produktion auf HBM umzustellen, um mit der internationalen Konkurrenz gleichzuziehen.

Das Kernelement der Ankündigung sind sogenannte 12-High Stacks – Speichermodule, bei denen zwölf DRAM-Dies übereinander gestapelt werden, um eine deutlich höhere Bandbreite und Leistungsdichte zu erreichen. Diese Technologie ist essenziell für Anwendungen wie Künstliche Intelligenz und Hochleistungsrechnen. Der Zeitplan bis 2027 zeigt, dass CXMT nicht nur nachrüsten, sondern eine vollständige Neuausrichtung seiner Fertigungslinien anstrebt.

Der geplante Einstieg von CXMT in den HBM-Markt erhöht den Wettbewerbsdruck im globalen Halbleitersektor und signalisiert Chinas Ambitionen, in einer weiteren Schlüsseltechnologie autarker zu werden. Sollte das Unternehmen die angekündigte Roadmap einhalten, könnte dies langfristig die Abhängigkeit von ausländischen HBM-Lieferanten verringern und die geopolitischen Spannungen im Technologiebereich weiter verschärfen. Die Branche wird die Entwicklungskapazitäten und die Qualität der ersten HBM3-Proben von CXMT genau beobachten.