美光启动垂直堆叠GDDR研发，2027年样品或挑战HBM与GDDR市场格局

美光科技已悄然启动一项颠覆性的研发计划，目标直指下一代高性能显存市场。据消息，该公司正开发一款采用垂直堆叠结构的GDDR内存产品，其技术路径类似当前高带宽内存（HBM），旨在通过堆叠技术，大幅提升传统GDDR显存的性能与容量上限。此举并非简单的迭代，而是试图在标准GDDR与高端HBM之间，开辟一条兼顾高性能与成本优势的全新赛道，以应对市场对更优性价比内存方案的持续渴求。

据悉，美光已制定了明确的研发时间表，计划在今年下半年完成关键设备的安装，并随即进入工艺测试阶段。目前初步技术方案锁定为4层GDDR芯片的垂直堆叠。如果后续研发与测试进程顺利，这款被视为“中间路线”的创新产品，其首批工程测试样品最快有望在2027年面世。这一时间点，正值下一代计算平台对内存性能提出更严苛要求的关键窗口期。

美光的这一战略布局，直接指向了由英伟达等巨头主导的AI与高性能计算芯片生态。垂直堆叠GDDR若能成功量产，将可能重塑显存市场的竞争版图，为那些需要强大算力但受制于HBM高昂成本的客户提供新的选择。这不仅是对自身产品线的重大升级，更是在内存技术路线上的一次关键押注，其进展将直接影响美光在未来数据中心、AI加速及高端图形市场的竞争地位。