闪迪加速HBF商业化冲刺，下半年建试点线，存储三巨头打响AI推理时代新战争

存储巨头闪迪正以前所未有的速度，将高带宽闪存（HBF）从实验室推向市场。据韩国媒体ETNews报道，闪迪已开始与材料、零部件及设备合作伙伴接洽，着手搭建HBF原型产线生态，计划于今年下半年推出原型产品。其试产线预计在2026年下半年竣工并投入运营，目标是在2027年实现商业化。更关键的是，知情人士透露，闪迪可能将整体开发时间表提前约半年，显示出其抢占AI推理时代关键存储层级的强烈意图。

HBF被视为填补HBM与SSD之间巨大容量与带宽断层的关键技术。它通过在NAND闪存中引入硅通孔（TSV）堆叠封装，能在维持高带宽的同时，提供约10倍于HBM的存储容量。随着AI工作负载加速从训练转向推理，这一技术缺口的战略价值正急剧放大。闪迪、SK海力士与三星电子已全面入局，标志着继HBM之后，存储行业下一轮结构性竞争已正式打响。

这场竞争不仅关乎产品，更涉及产业链主导权与标准话语权。由于HBF与HBM在工艺流程上高度相似，闪迪等公司在HBM产线积累的设备、材料与零部件生态优势有望直接迁移至HBF领域，为现有供应商开辟新的市场空间。同时，SK海力士与闪迪正通过OCP工作组推进标准化，试图在规范制定层面建立先发优势。三星电子则自2020年代初便已开展研究，并密集收购相关专利，积极拓展技术储备。设备与材料端也已闻风而动，例如韩国JK Materials公司已宣布完成用于HBF的关键高性能聚合物开发并向主要客户供货。