远见智存发布HBM3/3e芯片，国产HBM突破800GB/s带宽大关

深圳远见智存科技有限公司近期发布了其HBM3/3e高带宽存储芯片，将带宽推至819GB/s级别，并提供了12GB与24GB两种容量规格。这一进展直接对标JEDEC国际标准，标志着国内厂商在长期由SK海力士、三星、美光主导的HBM（高带宽存储）市场中，取得了关键的技术突破。HBM是当前AI算力体系的核心组件，其性能直接关系到突破“内存墙”瓶颈，而全球HBM市场规模预计在2030年将接近1000亿美元。

此次发布的产品采用了1024bit数据总线设计，相比传统DDR5接口实现了数量级提升。远见智存宣称其产品具备两大核心优势：通过优化电路电压域设计，整体功耗降低了20%；同时，采用TSV冗余布局和可修复性设计，使芯片制造良率提升了约8%，从而在同等产能下可节省近十分之一的晶圆成本。公司成立于2023年，但其创始团队自2016年前后即涉足HBM技术研发，是国内最早进入该领域的工程团队之一，成员具备美光、尔必达等国际存储厂商的背景。

在业务模式上，远见智存采用Fabless模式，其“芯片设计+晶圆代工+封装测试”的完整供应链均由中国供应商配套完成。目前，国内存储芯片设计公司仍以传统DRAM为主，高端HBM领域的参与者有限。远见智存的产品设计已覆盖从DRAM Die到Base Die的完整链路，并完整持有相关知识产权。应用层面，其HBM3/3e产品已可应用于AI全产业链，为国内AI算力基础设施提供了新的关键组件选项。