어플라이드 머티어리얼즈, 2나노 GAA 공정 경쟁 본격화…‘센트리스 프라임’·‘인텔리전트 디포지션’ 공개

반도체 장비의 최전선에서, 2나노 이하의 극미세 공정을 위한 핵심 장비 경쟁이 가열되고 있다. 어플라이드 머티어리얼즈가 14일 공개한 두 종의 새로운 증착 시스템은 차세대 GAA(게이트올어라운드) 트랜지스터 양산을 위한 핵심 솔루션으로, AI 컴퓨팅 수요 폭증에 대응하는 반도체 업계의 에너지 효율 경쟁을 가속화할 전망이다. 이들 시스템은 단순한 장비가 아니라, 500단계가 넘는 복잡한 3D 구조 형성 공정에서 성능과 전력 효율을 좌우하는 결정적인 역할을 각각 담당한다.

공개된 시스템은 ‘센트리스 프라임(Centris Prime)’과 ‘인텔리전트 디포지션(Intelligent Deposition)’이다. 센트리스 프라임은 게이트 스택 형성에 필요한 원자층 증착(ALD)과 화학기상증착(CVD)을 단일 챔버 내에서 통합해 처리하며, 이는 공정 단계를 줄이고 수율을 높이는 데 기여한다. 인텔리전트 디포지션은 반도체 내부의 미세한 공극을 채우는 ‘갭필(gap-fill)’ 공정에 특화되어, 원자 수준의 정밀도를 요구하는 GAA 구조의 신뢰성을 확보하는 데 초점을 맞췄다. 회사는 이들 공정이 원자 크기에 근접하는 극도의 허용 오차를 요구한다고 강조했다.

이번 발표는 삼성전자와 TSMC 등 파운드리 선두 기업들이 치열하게 경쟁하고 있는 2나노급 GAA 공정 생태계의 핵심 장비 공급망을 선점하려는 전략적 움직임이다. AI 반도체의 성능과 전력 효율은 이처럼 미세 공정의 정밀한 재료 증착 기술에 직접적으로 좌우되며, 어플라이드 머티어리얼즈의 새로운 시스템은 향후 고성능 컴퓨팅(HPC) 및 모바일 칩 시장의 기술 주도권 경쟁에서 중요한 변수가 될 것으로 보인다.