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厦门半导体产业迎来标志性时刻。3月30日，由66岁海归教授赵建辉创立的碳化硅外延晶片提供商——瀚天天成，正式在香港交易所上市。开盘后，公司股价迅速飙升超过42%，市值一举突破462亿港元，成为厦门今年以来规模最大的IPO。这不仅是一家公司的成功，更是厦门在第三代半导体关键材料领域培育出的一个产业标杆。 瀚天天成的崛起，核心在于其技术壁垒与精准的产业定位。碳化硅外延晶片因其在温度稳定性、导热性等方面的显著优势，已成为电动汽车、充电基建、可再生能源及AI数据中心等前沿领域的核心材料。作为该领域的头部企业，瀚天天成的成功离不开创始人赵建辉深厚的学术背景。他是全球最早研究第三代半导体碳化硅的学者之一，也是首位因对该技术产业应用做出重大贡献...
今日港交所四锣同响，其中一锣属于来自厦门的半导体超级独角兽——瀚天天成。这家全球最大的碳化硅外延供货商正式登陆港股，开盘价即飙升至110港元，远超76.26港元的发行价。截至午间休盘，其股价报102.6港元，总市值突破436亿港元，募资净额达15.6亿港元。此次上市不仅是一次成功的资本运作，更标志着这家国产半导体材料供应商站上了国际资本舞台的中心。 瀚天天成的上市之路并非一帆风顺。公司曾于2023年12月向上交所递交A股上市申请，计划募资35亿元，但在完成问询后，于2024年6月因市场环境及战略调整而终止。此次转战港股，公司引入了厦门先进智造产业投资有限公司作为唯一基石投资者，其认购股份占比高达46.8%，显示了地方资本对本土核心...
电力电子领域正站在一个可能颠覆性能极限的门槛上：合成金刚石半导体。这项技术被寄望于将电力器件的效率推向传说中的99.99%，标志着继碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）之后，又一次潜在的革命性飞跃。然而，将这种传统上与珠宝和工业研磨关联的材料，转化为实用的半导体芯片，其挑战之大，曾被视为天方夜谭。 金刚石作为半导体材料的核心吸引力在于其无与伦比的物理特性。科学界公认，它是已知散热性能最佳的材料，其导热性远超硅、SiC和GaN。这为解决高功率密度下的散热瓶颈提供了终极方案。材料应用的历史可追溯至1954年通用电气（GE）首次合成人造钻石，随后在20世纪80-90年代发展了化学气相沉积（CVD）法和掺杂工艺。如今，材料科学与制造技术的进...
碳化硅衬底龙头天岳先进的一笔大规模股东减持交易已初步敲定。根据公司最新公告，本次股东询价转让的初步价格确定为每股82.32元，拟转让的582万股股份已获得全额认购，接盘方为16家机构投资者。这笔交易不仅涉及近4.8亿元市值，更标志着公司早期股东在限售股解禁后，通过机构询价这一相对市场化的方式实现了集中退出。 此次询价转让的定价日为4月16日，最终确定的82.32元/股价格，将成为观察机构资金对公司当前价值判断的重要窗口。16家机构投资者的集体入场，一方面为原股东提供了流动性出口，另一方面也引入了新的机构股东结构。交易完成后，公司的股东名册和筹码分布将发生显著变化。 对于天岳先进而言，股东通过询价转让而非二级市场直接减持，有助于减...
碳化硅（SiC）产业正经历从新能源汽车功率器件向AI数据中心战略资源的关键跨越。市场此前显著低估了人工智能对电力电子基础设施的拉动效应，而这一误判正在被行业龙头的技术路线调整所修正。 英伟达已明确将数据中心供电架构由传统54V过渡至800V HVDC（高压直流）体系，台积电亦公开表态将碳化硅技术引入先进封装制程。两家关键节点企业的动向表明，SiC功率器件已超越逆变器效率组件的定位，正在成为解决AI算力集群"电力墙"与"热墙"瓶颈的核心器件。尽管电动汽车端存在阶段性库存扰动，但AI数据中心的1200V+ SiC MOSFET需求曲线预计将在2026至2028年间呈现爆发式增长。 行业研究显示，2026年将成为碳化硅产业的历史性转折...
过去几十年始终停留在实验室阶段的固态变压器（SST），正随着碳化硅功率半导体走向成熟而进入产业化临界点。英飞凌与西安为光能源近日达成深度合作，依托英飞凌1200V TRENCHSTOP IGBT7及CoolSiC MOSFET G2碳化硅分立器件技术，共同研发面向中压电网的紧凑型高效固态变压器产品。这一动向标志着SST从概念验证向商业落地的关键跨越，也意味着功率半导体厂商正在能源基础设施领域开辟新的增长极。 SST的核心技术门槛在于中压电网环境下的高压功率器件需求。传统硅基功率半导体难以同时兼顾高耐压、高频率、高效率与长期可靠性，整个产业长期缺乏支撑SST真正落地的器件基础。而以碳化硅为代表的宽禁带半导体技术突破，使得系统能够在数...