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在生成式AI浪潮重塑半导体格局的当下，一场来自行业巨头内部的私下讨论，意外揭示了中国在下一代存储技术上的潜在突破。据博主Damnang2透露，其在参加SK海力士美洲法人社长举办的技术研讨会时，听到了一句令人震惊的论断：“如果单看3D DRAM，中国已经领先于SK海力士。”这一来自竞争对手内部的评价，瞬间将中国在3D DRAM领域的长期研发推至聚光灯下，暗示着全球存储市场的技术竞赛可能正在发生微妙但关键的转向。 传统DRAM技术依赖在二维平面上缩小电路尺寸来提升性能，但已逼近物理极限。3D DRAM技术通过垂直堆叠存储单元，被视为突破容量与速度瓶颈的关键路径，对满足AI大模型对海量、高速数据吞吐的苛刻需求至关重要。在AI时代，GPU...
新紫光前沿技术研究院在2026新紫光集团创新峰会上正式发布"紫弦"三维化近存计算架构。该架构以3D DRAM为核心，首创3.5D异质异构集成方案，存储带宽可达30TB/s。研究院声称，基于国内领先供应链，该架构已具备规模化量产能力。 技术参数显示，在PNM近存计算模式下，访存延迟最大可降低18倍；模拟仿真数据进一步表明，同等算力条件下，token吞吐率较英伟达B200系列高出1.5至2倍以上。这一性能对比直接剑指当前全球AI算力芯片头部产品。 近存计算（Processing Near Memory）作为解决"内存墙"问题的主流技术路径，近年来在数据中心和AI推理场景中备受关注。"紫弦"架构的3.5D异质异构集成方案，将计算单元与...