1. 功率半导体风向突变：BDS技术商业化元年开启，英飞凌、瑞萨、纳微等巨头竞逐
功率半导体领域的技术风向正在发生根本性转变。曾长期停留在学术层面的双向开关（BDS）技术，在今年的北美电力电子展（APEC）上迎来了密集的产品发布，标志着其商业化“元年”正式开启。瑞萨、英飞凌、纳微半导体（Navitas）、英诺赛科（Innoscience）等多家头部芯片厂商，纷纷展示了基于氮化镓（GaN）的单片式BDS（M-BDS）产品，电压覆盖从30V到1200V的广泛范围。意法半导体（ST）和德州仪器（TI）也展示了处于前期生产阶段的GaN BDS解决方案，目前正处于JEDEC资格测试的最后阶段。这一系列动作表明，行业巨头正集体押注BDS，试图撬动一个潜在规模达十亿美元的新兴市场。 BDS技术的核心优势在于其近乎理想的开关特...