1. 중국 연구진, 2차원 반도체 성장 속도 1000배 돌파…차세대 소재 경쟁 변곡점
중국 국방과학기술대학과 중국과학원 금속연구소 연구진이 기존 대비 약 1000배 빠른 속도로 웨이퍼급 2차원 반도체를 성장시키는 공정을 개발했다. 이는 실리콘 미세화의 물리적 한계가 현실화된 시점에서 차세대 반도체 소재 경쟁의 판도를 바꿀 수 있는 기술적 돌파구로 평가받고 있다. 연구의 핵심은 화학기상증착(CVD) 공정의 재설계에 있으며, 특히 기판 구조의 근본적인 변화에 있다. 연구팀은 기존의 고체 기판 대신 액체 금과 텅스텐을 활용한 새로운 접근법을 제시했다. 이 공정을 통해 단원자층 텅스텐 실리콘 나이트라이드 박막을 웨이퍼 규모로 균일하게 성장시키는 데 성공했다...