1. ETRI, AI 시대 대비 '캐패시터 없는 DRAM' 구조 구현 성공
한국전자통신연구원(ETRI)이 차세대 AI 시대의 핵심 장애물 중 하나인 메모리 전력 소모 문제에 대한 돌파구를 제시했다. 연구진은 데이터 저장을 위해 별도의 캐패시터(축전기)가 필요 없는 새로운 DRAM 구조를 구현하는 데 성공했다. 이 '2T0C(2-트랜지스터-0-캐패시터)' 구조는 기존 DRAM의 핵심 부품을 생략함으로써 칩의 집적도를 높이고 제조 공정을 단순화할 수 있는 가능성을 열었다. 이 기술은 디스플레이 패널에 주로 사용되는 산화물 반도체 트랜지스터(TFT)를 메모리 소자로 활용한 것이 특징이다. '캐패시터리스 DRAM'으로 불리는 이 방식은 물리적 공...