三星2纳米良率突破60%，2030年直指1纳米，与台积电的先进制程对决升温

三星电子在半导体先进制程的追赶战中取得关键进展。据韩国《韩国经济》援引消息人士报道，三星晶圆代工部门的2纳米制程良率最高已超过60%，生产效率显著改善。这一突破被视为其代工业务有望在今年实现扭亏为盈的核心支撑，直接增强了市场信心和议价能力。与此同时，三星已明确将1纳米制程的导入时间定为2030年，届时将引入全新的叉片（forksheet）架构技术，标志着其与台积电的竞争进入下一阶段。

为巩固高端客户基础，三星正积极扩展2纳米工艺的定制化变体。其中最引人注目的是为特斯拉下一代AI芯片“AI6”量身定制的SF2T工艺，预计将于2027年在德克萨斯州泰勒市的新晶圆厂正式量产。此外，面向智能手机应用处理器的SF2P工艺计划于2026年启用，性能更强的SF2P+则预计在2027年投入使用。通过构建覆盖移动计算到AI推理的工艺矩阵，三星旨在增强对主要客户的吸引力。

在通往1纳米的道路上，技术架构的竞争同样激烈。三星计划采用的叉片架构，旨在突破当前2纳米制程中使用的全环栅极（GAA）技术的物理极限。该架构通过在晶体管之间引入绝缘隔离墙，大幅压缩晶体管间距，从而在相同芯片面积内实现更高的集成密度。值得注意的是，据报道，台积电同样计划在其2030年后的1纳米制程中采用叉片结构。这意味着，全球顶尖晶圆代工厂商的技术路线图正加速趋同，围绕1纳米的全球先进制程竞争格局正持续升温。