台积电极限路线图曝光：绕开High-NA EUV，A12/A13剑指亚纳米时代

当三星、英特尔全力押注High-NA EUV光刻机之际，全球最大晶圆代工厂台积电却宣布：直至2029年，包括A12、A13在内的全系列规划节点，均不纳入High-NA EUV设备。这一决策与行业热潮形成鲜明反差，折射出这家晶圆龙头对自身技术底牌的深层自信。

4月22日，台积电在美国加州圣塔克拉拉举行的2026年北美技术论坛上，由业务发展及全球销售高级副总裁张晓强博士公布了全新制程发布策略：面向智能手机、消费电子等客户端应用，每年推出一款新节点；面向AI与高性能计算（HPC）数据中心，每两年推出一款高密度节点。客户端路线涵盖N2、N2P、N2U、A14及A13，其中N2U作为N2平台的第三代延伸，通过设计-技术协同优化（DTCO）实现功耗降低约8%-10%，逻辑密度提升2%-3%。A14作为台积电首个非过渡型1.4纳米级工艺，计划于2027年底启动风险试产，2028年下半年大规模量产；A13则是A14的"光学微缩版"，在保持设计规则与电气特性完全兼容的前提下，实现约6%的面积缩减。AI/HPC路线以A16、A12为核心，其中A12将采用第二代纳米片晶体管技术，并集成超级电轨（SPR）背面供电方案，同时在正面与背面同步微缩，瞄准数据中心算力的极致需求。2029年A13与A12投入量产，将正式宣告半导体制造跨入"亚纳米"时代。

台积电极力淡化对High-NA EUV的依赖，意味着其正以DTCO持续优化、先进纳米片架构及背面供电技术构建替代路径，在不引入新设备风险的前提下维持制程密度优势。这一路线若如期兑现，将对ASML High-NA EUV订单生态及全球芯片设计企业的工艺选型产生深远影响。