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美光科技正试图在AI内存竞赛中开辟一条新战线。据韩国《电子新闻》报道，美光已启动将图形内存（GDDR）进行垂直堆叠的新产品开发，计划今年下半年完成设备部署并进入工艺测试。初期目标是实现约四层堆叠，最快明年推出样品。这一布局使其在时间上领先于尚未公开宣布类似计划的三星电子和SK海力士，旨在抢占一个介于昂贵的高带宽内存（HBM）与普通GDDR之间的新兴细分市场。 此举的直接驱动力是AI应用场景扩展导致的内存需求分化。GDDR凭借成本优势，正被越来越多地用于AI推理加速器，但其带宽瓶颈限制了进一步渗透。美光的目标是打造一款性能优于现有GDDR、但成本低于HBM的堆叠产品，其规格已在与AI加速器客户的对接中进行讨论，市场方向明确指向定制化...
美光科技已悄然启动一项颠覆性的研发计划，目标直指下一代高性能显存市场。据消息，该公司正开发一款采用垂直堆叠结构的GDDR内存产品，其技术路径类似当前高带宽内存（HBM），旨在通过堆叠技术，大幅提升传统GDDR显存的性能与容量上限。此举并非简单的迭代，而是试图在标准GDDR与高端HBM之间，开辟一条兼顾高性能与成本优势的全新赛道，以应对市场对更优性价比内存方案的持续渴求。 据悉，美光已制定了明确的研发时间表，计划在今年下半年完成关键设备的安装，并随即进入工艺测试阶段。目前初步技术方案锁定为4层GDDR芯片的垂直堆叠。如果后续研发与测试进程顺利，这款被视为“中间路线”的创新产品，其首批工程测试样品最快有望在2027年面世。这一时间点，...