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三星电子正以前所未有的速度扩大其高带宽内存（HBM）的产能，以应对来自英伟达、博通和AMD等关键客户的强劲需求。公司存储器开发执行副总裁黄相俊明确表示，计划将今年的HBM产能提升至去年水平的三倍以上，并预计2026年的出货量将超过100亿Gb。这一激进的扩产计划，直接指向了人工智能与高性能计算芯片市场对先进存储解决方案的持续渴求。 HBM作为AI芯片的关键配套组件，其供应能力已成为制约算力发展的瓶颈之一。三星电子的产能扩张，不仅是其自身在存储市场的战略押注，更是在回应英伟达等巨头对供应链稳定性的迫切要求。目前，HBM市场主要由三星、SK海力士和美光科技主导，三星此番提速，意在巩固并扩大其在高端存储领域的领先地位，以争夺未来AI浪潮...
In the spring of 2026, SRAM, which was once considered obsolete technology, was returning to industrial focus at an alarming rate compared with HBM4 out of mainstream GPU, 22 TB/s out of GPU and seven times more capable of achieving ABAM. At the GTC 2026 Congress, Huang Yung-hoon officially released the reasoning chip ...
Under cost pressures, low- and middle-end machines are in a difficult position, and the concept of “kmart” is dying. However, more severe than the price is the loss of human resources in the industry: shrewd operations, with about 400 staff divided into motor vehicles and AI directions; formerly high-pipe kings turning...
全球AI投资热潮正将三星电子推向一个前所未有的利润高峰。受高带宽内存需求激增与通用DRAM价格飙升的双重驱动，三星电子一季度营业利润有望首次突破40万亿韩元，刷新韩国企业单季利润的历史纪录。市场预期其营收也将突破120万亿韩元，创下公司自身季度新高。这一爆炸性增长的核心引擎，是三星对英伟达的HBM供货量急剧扩大。 据知情人士透露，三星电子一季度HBM营收同比增长超过300%。这一垂直上升态势始于去年下半年，当时三星开始向英伟达供应第五代产品HBM3E。今年2月，三星更是宣布在全球率先实现第六代HBM4的量产，该产品将搭载于英伟达下一代AI加速器“Vera Rubin”。这意味着三星在高端HBM产品线上，已形成从稳定供货到技术迭代的...
美光科技已悄然启动一项颠覆性的研发计划，目标直指下一代高性能显存市场。据消息，该公司正开发一款采用垂直堆叠结构的GDDR内存产品，其技术路径类似当前高带宽内存（HBM），旨在通过堆叠技术，大幅提升传统GDDR显存的性能与容量上限。此举并非简单的迭代，而是试图在标准GDDR与高端HBM之间，开辟一条兼顾高性能与成本优势的全新赛道，以应对市场对更优性价比内存方案的持续渴求。 据悉，美光已制定了明确的研发时间表，计划在今年下半年完成关键设备的安装，并随即进入工艺测试阶段。目前初步技术方案锁定为4层GDDR芯片的垂直堆叠。如果后续研发与测试进程顺利，这款被视为“中间路线”的创新产品，其首批工程测试样品最快有望在2027年面世。这一时间点，...
当AI从“生成”走向“自主行动”，算力的核心瓶颈可能发生根本性转移。被业界誉为“HBM之父”的韩国科学技术院（KAIST）教授Joungho Kim近日发出预言：当前由英伟达主导的GPU中心化AI架构，终将被以内存为核心的新架构所取代。这一判断源于AI应用形态的根本转变——从生成式AI迈向智能体AI（Agentic AI），系统需要同时处理海量文档、视频等多模态数据，即“上下文工程”的崛起。为保障速度与精度，Kim指出，内存带宽和容量必须提升最高1000倍，而输入规模若扩大100至1000倍，内存需求总量膨胀幅度或高达100万倍。 面对这一指数级需求，现有主导AI加速器市场的HBM技术将触及天花板。Kim提出的下一代解决方案是HB...
AI计算的主导权正在发生根本性转移。被誉为“HBM之父”的韩国科学技术院教授金正浩发出关键预警：当前由英伟达GPU主导的AI芯片格局即将瓦解，未来的AI系统将围绕超大容量内存构建，处理器将退居为嵌入其中的组件。这一转变的核心驱动力是AI正从生成式模型迈向需要处理海量实时数据的“智能体（Agentic AI）”时代，内存的带宽与容量已成为最关键的制约瓶颈。 金正浩指出，为支撑智能体同时处理海量文档、视频等多模态数据的需求，内存性能需要实现最高达1000倍的提升。当输入规模扩大百倍至千倍时，内存需求甚至可能呈指数级增长至百万倍。他认为，当前通过堆叠DRAM来实现高带宽的HBM产品，可能难以满足未来需求。因此，他重点看好下一代技术——高...
三星电子连续两个季度大幅上调DRAM价格，二季度涨幅锁定在约30%，覆盖HBM及各类通用DRAM产品。这一举措直接源于AI基础设施投资的爆发式增长，大型科技公司争相扩建AI服务器，导致存储厂商将产能向高性能HBM倾斜，进而挤压了通用DRAM的供给，引发价格持续上行。若以2025年初价格为基准，经过一季度翻番和二季度30%的上涨，当前供货价已升至基准价的2.6倍。市场判断“今日最便宜”的逻辑未变，但涨价斜率已从一季度的翻倍有所放缓。 此轮涨价并非全线普涨，市场呈现明显分化。据DRAM Exchange数据，截至3月底，部分旧型产品如DDR4 8Gb的价格已企稳。然而，面向服务器和高端PC的DDR5等新一代DRAM产品价格仍在稳步上涨...
三星电子2026年第一季度的业绩指引，以远超市场预期的爆炸性增长，揭示了AI产业对全球半导体供应链的深刻重塑。其合并营业利润飙升至约57.2万亿韩元，同比激增755%，不仅创下历史新高，更远超分析师平均预期的39.3万亿韩元。销售额同样强劲，达到约133万亿韩元，同比增长68.1%。这一数据断层式的领先，标志着存储芯片市场正经历由AI驱动的超级周期。 业绩爆发的核心驱动力清晰指向AI。作为全球最大的存储芯片制造商，三星电子在DRAM和NAND闪存领域的领先市场份额，使其成为AI服务器、数据中心对高性能存储芯片需求激增的最大受益者。里昂证券韩国研究部主管桑吉夫·拉纳直言，业绩“完全由内存业务驱动”，并估计其贡献可能接近总营业利润的9...
继第一季度将DRAM合约价大幅上调100%后，三星电子已确认第二季度价格将再度环比上涨30%。这一连续、大幅度的提价动作，标志着存储芯片市场正经历一场由人工智能需求驱动的结构性转变。三星电子已于3月底与主要客户完成价格谈判并签署供应合同，确保了本轮涨价的落地执行。此次30%的涨幅并非针对单一产品，而是全面覆盖了AI服务器所需的高带宽内存（HBM）、以及PC和智能手机所需的通用DRAM，显示出需求端的强劲压力已从高端AI芯片外溢至整个存储产品线。 三星电子作为全球最大的存储芯片制造商，其定价策略对整个半导体产业链具有风向标意义。连续两个季度的激进提价，直接反映了数据中心为部署大模型而疯狂采购HBM，以及消费电子市场可能正在复苏所带来...
三星电子正为其下一代半导体制造基地注入关键设备，以锁定未来高端内存市场的产能。据最新消息，三星已为其位于平泽的P5晶圆厂集群的首个阶段（PH1）下达了超过70台光刻机的采购订单，为2027年该产线的正式投运铺平道路。这批关键设备主要来自全球光刻机巨头ASML和佳能，其中约20台是ASML最先进的极紫外光（EUV）曝光系统，凸显了三星在先进制程上的持续重注。 此次大规模采购直接服务于P5工厂PH1阶段的核心任务：生产基于1c纳米制程的DRAM芯片。值得注意的是，该产线将采用“双轨”策略，同时制造通用内存和当前AI热潮下需求激增的高带宽内存（HBM）。这表明三星不仅意在巩固其在传统内存市场的地位，更旨在抢占HBM这一决定未来数据中心和...
AI芯片的军备竞赛正将战火烧向一个隐秘的角落：HBM（高带宽内存）的堆叠封装技术。当传统的热压键合工艺在16层乃至20层DRAM芯片的堆叠高度前触顶时，被视为“终极方案”的混合键合技术，正被三星和SK海力士同步推向量产验证的前线。然而，这条技术路径布满荆棘，业内估算其当前良率仅徘徊在10%左右，距离商业化所需的60%门槛相去甚远。任何一层的连接失误，都意味着整颗昂贵芯片的报废，这构成了HBM迈向更高性能与密度的核心瓶颈。 作为HBM市场的绝对霸主，SK海力士的举动更像一场技术防御战。其DRAM销售额中超40%来自HBM，2026年产能已被预订。为巩固领先地位，SK海力士上月首次下单采购了由应用材料与Besi联合开发的量产型混合键合...
三星电子刚刚交出了一份令整个科技行业瞠目的成绩单。2026年第一季度，这家韩国巨头录得约57.2万亿韩元的营业利润，是去年同期的八倍多，甚至超过了其2025年全年的利润总和，创下历史新高。戏剧性在于，三星自身并不直接开发AI大模型或应用，它只是为这场全球AI竞赛中最关键的参与者——提供存储芯片。当所有人在“淘金”时，三星成了那个最赚钱的“卖铲人”。 这场利润盛宴的核心驱动力，是席卷全球的存储芯片短缺。AI数据中心建设的狂潮，正以近乎“暴力”的方式吞噬产能。不仅用于AI训练的高带宽存储（HBM）供不应求，更意外的是，连智能手机、PC等消费电子所需的普通DRAM芯片，也因产能被AI客户优先挤占而陷入短缺。这种“挤出效应”直接引爆了全品...
三星电子2026年第一季度的业绩预告，揭示了一场由AI驱动的极端利润重构。单季营业利润高达57.2万亿韩元，同比暴增755%，不仅刷新公司历史纪录，其规模甚至超过了腾讯2025年全年的利润总额。然而，这份“炸裂”成绩单的背后，是利润结构的极度失衡。外界普遍认为，强劲的AI芯片需求是核心驱动力。据美利兹证券预计，三星的芯片部门贡献了约54万亿韩元的利润，占总利润的惊人的95%。相比之下，其手机、显示器和家电等传统核心业务，合计仅贡献了约4万亿韩元，几乎沦为利润报表上的“零头”。 这场利润风暴的核心，是存储芯片价格的“失控式”上涨。作为AI算力的关键“数字石油”，高带宽内存（HBM）的价格在短期内经历了史诗级飙升。TrendForce...
当GPU算力以每季度翻番的速度狂飙，产业的核心矛盾已从单纯的算力竞赛，转向了算力与存储之间的尖锐对立。HBM虽因“近显存级带宽”成为AI服务器的标配，但其高昂成本与规模化部署逻辑相悖，将多数企业挡在门外。与此同时，作为传统“容量担当”的HDD，其机械结构导致的性能短板，在AI训练中已成为导致“数据等待算力”的致命缺陷。GPU的无限算力需求，正与现有存储方案的有限适配能力激烈碰撞。 在这一矛盾中心，面向AI工作负载优化的SSD价值被急剧放大。它并非仅是“容量大”的通用存储，而是为大模型训练与推理量身定制的专用方案。其核心目标在于解决“高性能、高并发、低延迟、高耐久、大容量”的综合需求，旨在打破传统架构中CPU中转的瓶颈，让高端GPU...
存储芯片行业正站在一个罕见的历史性拐点。瑞银最新研报指出，由AI驱动的HBM需求持续蚕食传统DDR产能，叠加传统服务器换机周期与存储SSD需求的同步爆发，全球DRAM市场的供需缺口将延续至2027年第四季度。这一被定义为“近三十年来未曾出现过的存储超级周期”，其核心驱动力在于多重需求端的冲击形成了叠加共振。 市场格局的剧变是此轮周期持久的关键。DRAM市场已高度整合至SK海力士、三星和美光三寡头格局。在供应端，由于缺乏足够的“竞争性扩产”动力来平抑需求冲击，周期性价格修正的烈度被削弱，导致本轮需求超级周期带来的价格上行压力将更加持久。瑞银特别指出，中国以外的晶圆产能扩张几乎全部集中于HBM，常规DRAM的新增供给极为有限，三大供应...
一场氦气供应链的“硬性中断”，正直接威胁全球人工智能基础设施的核心。氦气采购停滞，已不再是简单的原材料短缺，而是演变为一场可能颠覆AI芯片性能与可靠性的系统性危机。氦气在半导体制造中扮演着不可替代的冷却角色，其供应中断将直接导致晶圆温度控制失效，进而对高深宽比刻蚀的线宽可控性、全环绕栅极纳米片形成的均匀性，以及存储单元的电学性能产生致命影响。这意味着，即便芯片能够被制造出来，其最终性能也可能无法达到既定规格，良率面临断崖式下跌的风险。作为AI算力基石的数据中心，将成为这场危机中受影响最深、波及最广的领域。 危机的传导逻辑直指AI半导体供应链的结构性脆弱点。当前，从英伟达的Hopper、Blackwell系列，到博通的TPU ASI...
在人工智能需求推动全球半导体行业繁荣、韩国出口创下历史新高的背景下，一场利润分配的严重失衡正在韩国供应链内部上演。存储芯片巨头三星电子和SK海力士利润暴涨，而为其提供关键材料和组件的本土上游供应商，却连续第二年被迫接受降价，陷入盈利困境。这种“冰火两重天”的局面，揭示了韩国半导体产业繁荣表象下的结构性压力。 行业数据显示，三星电子2026年第一季度营业利润预计同比激增755%，SK海力士2025年利润也翻倍增长，并首次在年度利润上超越三星。韩国3月半导体出口额同比飙升151.4%，推动整体出口创下近40年最快增速。然而，就在下游制造商享受AI红利的同时，三星和SK海力士在完成2026年第一季度供应商谈判后，广泛下调了存储相关材料和...
深圳远见智存科技有限公司近期发布了其HBM3/3e高带宽存储芯片，将带宽推至819GB/s级别，并提供了12GB与24GB两种容量规格。这一进展直接对标JEDEC国际标准，标志着国内厂商在长期由SK海力士、三星、美光主导的HBM（高带宽存储）市场中，取得了关键的技术突破。HBM是当前AI算力体系的核心组件，其性能直接关系到突破“内存墙”瓶颈，而全球HBM市场规模预计在2030年将接近1000亿美元。 此次发布的产品采用了1024bit数据总线设计，相比传统DDR5接口实现了数量级提升。远见智存宣称其产品具备两大核心优势：通过优化电路电压域设计，整体功耗降低了20%；同时，采用TSV冗余布局和可修复性设计，使芯片制造良率提升了约8%...
深圳远见智存科技有限公司近期发布了其HBM3/3e高带宽存储芯片，将带宽推至819GB/s级别，并提供了12GB与24GB两种容量规格。这一进展直接对标JEDEC国际标准，标志着中国厂商在长期由SK海力士、三星、美光主导的HBM（高带宽存储）市场中，迈出了关键一步。HBM是当前AI算力体系的核心组件，其性能直接关系到突破因大模型规模扩大而日益严峻的“内存墙”瓶颈。 此次发布的产品采用了1024bit数据总线设计，相比传统DDR5的64bit接口实现了数量级提升。远见智存宣称其产品具备两大核心优势：通过优化电路电压域设计，整体功耗降低了20%；同时，采用TSV冗余布局和可修复性设计，使芯片制造良率提升约8%，从而在同等产能下可节省近...